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Article : texte imprimé
Annika Frankemölle, Auteur | 2025Les transistors de puissance en SiC et GaN à large bande interdite ont permis de concevoir des alimentations plus compactes et plus puissantes. Pour en accroître encore le rendement, des bobines de puissance à très faibles pertes sont indispensables. (Extrait de Elektor, 516, p.70)
